トランジスタ、ダイオード

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260869
Publication number (International publication number)：2003069017
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】低抵抗高耐圧のトランジスタとダイオードを提供する。【解決手段】直方体の細溝20の底部を半導体エピタキシャル成長物で充填する場合に、細溝20の側面に{1 0 0}面を露出させる。細溝20内の各面から等速度でエピタキシャル成長し、ボイドの無い充填物22が得られる。充填物22の濃度や幅等を最適値に設定することで、充填物22内部が完全に空乏化するときには、ドレイン層12の充填物22間に位置する部分も完全に空乏化し、ドレイン層12内に広がった空乏層中の電界強度を一定にすることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層と接して配置された第2導電型のボディ層と、前記ボディ層と前記ドレイン層とに亘って形成され、底面が前記ドレイン層内に位置する有底の細溝と、前記ボディ層内の前記細溝の開口部分に位置し、前記ドレイン層とは離間したソース領域と、半導体のエピタキシャル成長によって前記細溝内に形成され、下端部が前記細溝の底面と接し、上端部が前記ボディ層と前記ドレイン層の境界よりも低く、第2導電型の不純物が添加された充填物と、前記細溝の内周面のうち、少なくとも前記ボディ層が露出する部分に形成されたゲート絶縁膜と、前記細溝内の前記ゲート絶縁膜と接触して配置され、前記充填物とは絶縁されたゲート電極プラグと、を有するトランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/78 653 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/872 , H01L 29/861

FI (6)：

H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 652 T , H01L 29/48 F , H01L 29/78 658 E , H01L 29/91 D

F-Term (9)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104FF01 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-310576
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-307657 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-277081 Applicant：三洋電機株式会社

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