面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：磯村雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997305166
Publication number (International publication number)：1999145560
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】電流狭窄層をAlAs層あるいは微少Ga組成を有するAlGaAs層の選択酸化技術を使用して作製する場合、上部反射鏡の低屈折率半導体層としてAlAsなどを用いた場合にも、電流狭窄層直上で精度よくエッチングを停止させ歩留まりを向上することが可能な、低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザ,およびこれを用いた光送信モジュールとシステムを提供すること。【解決手段】上部反射鏡10と電流狭窄層7との間に、エッチング停止層12として燐系の化合物半導体材料、あるいは、それを少なくとも1層は含む半導体多層膜を導入する。これにより、素子作製工程における選択エッチングが可能となるとともに、上部反射鏡の反射率低下を抑制し、歩留まりのよい低しきい値電流で発振する面発光半導体レーザが得られる。また、これを用いることにより、低電力消費の光送信モジュールおよびシステムを得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、光を発生する活性層と、電流狭窄層と、当該活性層から発生した光からレーザ光を得るために活性層の上下を上部反射鏡と基板側の下部反射鏡で挟んだ共振器とを有し、前記上部反射鏡と下部反射鏡が低屈折率半導体層と高屈折率半導体層を交互に積層した半導体多層膜をもって構成され、基板面に垂直にレーザ光を放射する面発光半導体レーザにおいて、該上部反射鏡と電流狭窄層との間にエッチング停止層が形成されていることを特徴とする面発光半導体レーザ。

IPC (7)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H04B 10/28 , H04B 10/26 , H04B 10/14 , H04B 10/04 , H04B 10/06

FI (3)：

H01S 3/18 , G02B 6/42 , H04B 9/00 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-080908 Applicant：株式会社リコー
横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-012017 Applicant：富士ゼロックス株式会社
電流アパーチャを備えた垂直キャビティレーザー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-504471 Applicant：オプティカルコンセプツ,インコーポレイティド

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