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J-GLOBAL ID：200903060020860985

不揮発性記憶素子及びその製造方法

Inventor：
森本 英徳

About 森本 英徳


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 政木 良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005146125
Publication number (International publication number)：2006324447
Application date： May. 19, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
【課題】 下部電極と金属酸化物と上部電極の積層構造を有する可変抵抗型の不揮発性記憶素子において、電荷が界面トラップからデトラップする確率を低減してデータ保持特性の改善を図る。【解決手段】 下部電極2、金属酸化物3、絶縁膜5、及び、上部電極4を順次積層した構造を有する。下部電極2と上部電極4の間に電気的ストレスを印加することで、下部電極2と上部電極4の間の電気抵抗特性が可逆的に変化する。金属酸化物3の界面トラップに保持された電荷が、トラップバリアとして機能する絶縁膜5によりデトラップする確率が低減する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
下部電極、金属酸化物、絶縁膜、及び、上部電極を順次積層した構造を有してなり、 前記下部電極と前記上部電極の間に電気的ストレスを印加することで、前記下部電極と前記上部電極の間の電気抵抗特性が可逆的に変化することを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (3)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (4)：
H01L27/10 451 ,  H01L27/10 461 ,  H01L45/00 A ,  H01L49/00 Z
F-Term (9)：
5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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