プラズマ加工装置、製造工程およびそのデバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999309808
Publication number (International publication number)：2001093871
Application date： Sep. 24, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】現在の半導体プロセスはその半数以上が減圧装置であり、また洗浄・露光装置等は大気圧でしかプロセスを行えない。大気圧で動作する装置と減圧下で動作する装置とのインターフェイスを柔軟に構成することは不可能であり、これがボトルネックとなり効率的なプロセスに限界がある。【解決手段】マイクロ波を用いて高密度のラジカルを含むプラズマを線状に形成し、ダメージフリーかつ高速な成膜・エッチング等を行い、連続的なウエハ等の加工を実現する。また、略々大気圧動作としガス流によるプロセス空間等の隔離を行うことでロードロックが不必要となり、直接成膜・CVD・エッチング・平坦化・洗浄等のプロセスがガスの切り替えだけで可能なことから大半のプロセスを大気圧で行え、効率的なプロセスが可能となる。

Claim (excerpt)：

電磁波を用いて線状のプラズマを形成し、加工物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ、加工物およびプラズマの相対位置を移動しつつ加工物の表面加工を行なうことを特徴とするプラズマ加工装置。

IPC (5)：

H01L 21/304 645 , B23K 10/00 504 , H01L 21/205 , H01L 21/3065 , H05H 1/30

FI (5)：

H01L 21/304 645 C , B23K 10/00 504 , H01L 21/205 , H05H 1/30 , H01L 21/302 B

F-Term (55)：

4E001LH00 , 4E001NA01 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB24 , 5F004BC04 , 5F004BC06 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA05 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA15 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F045AA09 , 5F045AA13 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045DP23 , 5F045DQ15 , 5F045EF01 , 5F045EF17 , 5F045EH05 , 5F045EH10 , 5F045EM01 , 5F045HA24 , 5F045HA25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

ダイヤモンド合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-182617 Applicant：住友電気工業株式会社
選択めっき方法および回路板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-295694 Applicant：松下電工株式会社
特開平4-187507

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