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J-GLOBAL ID：200903060812668925

積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、これらの製造方法、電子素子アレイ及び表示装置

Inventor： 近藤 均 ,  友野 英紀 ,  田野 隆徳 ,  藤村 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (2)： 柏木 慎史 ,  柏木 明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004124292
Publication number (International publication number)：2005310962
Application date： Apr. 20, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】 印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。【解決手段】 エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部3とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部4との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層2と、この濡れ性変化層2に対して高表面エネルギー部3の部位に形成された導電層5と、濡れ性変化層2に対して少なくとも低表面エネルギー部4の部位に接して設けられた半導体層6と、により積層構造体1を構成することで、印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法で、簡便に製造できる微細な導電層パターン及び高移動度の半導体層6を有する積層構造体1を提供できるようにした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

エネルギーの付与によって臨界表面張力が変化する材料を含み、より臨界表面張力の大きな高表面エネルギー部とより臨界表面張力の小さな低表面エネルギー部との少なくとも臨界表面張力の異なる2つの部位を有する濡れ性変化層と、この濡れ性変化層に対して前記高表面エネルギー部の部位に形成された導電層と、前記濡れ性変化層に対して少なくとも前記低表面エネルギー部の部位に接して設けられた半導体層と、を有することを特徴とする積層構造体。

IPC (5)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (7)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616K

F-Term (57)：

2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JB21 ,  2H092MA10 ,  2H092MA22 ,  2H092MA28 ,  2H092NA27 ,  4M104AA01 ,  4M104AA06 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-187318   Applicant：株式会社リコー
• アクティブマトリクス基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-064576   Applicant：松下電器産業株式会社
• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-197801   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (4)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-267054   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開平1-259563
  
• パターン形成体の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-064282   Applicant：大日本印刷株式会社
• トランジスタ及びそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-282615   Applicant：シャープ株式会社