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J-GLOBAL ID：200903060893569888

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 畑 雅幸 ,  戸田 忠夫 ,  岡本 重之 ,  井上 大二朗 ,  別所 靖之 ,  野村 康彦 ,  山口 勤
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004027477
Publication number (International publication number)：2004260152
Application date： Feb. 04, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：

【課題】素子の動作を安定化することが可能な半導体素子を提供する。【解決手段】この半導体素子は、少なくとも裏面の一部に転位の集中している領域8を有するn型GaN基板1と、n型GaN基板1の表面上に形成された窒化物系半導体各層(2〜6)と、転位の集中している領域8上に形成された絶縁膜12と、転位の集中している領域8以外のn型GaN基板1の裏面の領域に接触するように形成されたn側電極13とを備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも裏面の一部に転位の集中している裏面領域を有する基板と、 前記基板の表面上に形成された半導体素子層と、 前記転位の集中している前記裏面領域上に形成された絶縁膜と、 前記転位の集中している前記裏面領域以外の前記基板の裏面の領域に接触するように形成された裏面側電極とを備えた、半導体素子。

IPC (4)：

H01S5/042 ,  H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

FI (5)：

H01S5/042 612 ,  H01L21/28 301B ,  H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01S5/343 610

F-Term (33)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104DD71 ,  4M104FF02 ,  4M104FF03 ,  4M104FF09 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA09 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA15 ,  5F073FA02 ,  5F073FA11 ,  5F073FA27 ,  5F073FA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-011590   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (10)

• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-035638   Applicant：シャープ株式会社
• III族窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-001255   Applicant：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社
• 転位線の伝搬方向の制御方法およびその用途
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-293049   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体基板および半導体基板の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-306215   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-126989   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-270988   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-212932   Applicant：日亜化学工業株式会社
• GaN系半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-179875   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化ガリウム系半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-175444   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-027981   Applicant：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社