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J-GLOBAL ID：200903061558350878

SiC基板およびSiC基板の製造方法

Inventor： 廣岡 泰典
Applicant, Patent owner： 株式会社NEOMAX
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003374617
Publication number (International publication number)：2004168649
Application date： Nov. 04, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】 実用的な条件によって加工変質層を除去するSiC基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のSiC基板の製造方法は、第1および第2の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層3aを前記第1の主面に有するSiC基板1から、前記加工変質層3aの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第1および第2の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層を前記第1の主面に有するSiC基板から、前記加工変質層の少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程(a)を包含するSiC基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 105B

F-Term (20)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FG03 ,  4G077FG11 ,  4G077HA12 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭55-20262号公報
  

Cited by examiner (8)

• 炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111374   Applicant：株式会社ブリヂストン
• SiC単結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-343098   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-357053   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 特表平5-500883
  
• 特開昭63-009936
  
• メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-259116   Applicant：株式会社デンソー
• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-295255   Applicant：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-297064   Applicant：新日本製鐵株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Improvement of contact resistances on plasma-exposed silicon carbide