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J-GLOBAL ID：200903061684850550

半導体装置とその製造方法

Inventor： 中村 亘 ,  長谷川 隆史 ,  杉山 吉洋 ,  伊藤 英機
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007017972
Publication number (International publication number)：2008186926
Application date： Jan. 29, 2007
Publication date： Aug. 14, 2008
Summary：

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】第1ホールの21a内面と、該第1ホール21aに露出する金属シリサイドパターン(導電パターン)17aの上面に、高融点金属よりなる第1バリアメタル膜22aを形成する工程と、第1バリアメタル膜22aの上に、高融点金属の窒化物よりなる第2バリアメタル膜22bを形成する工程と、第2バリアメタル膜22bをアニールする工程と、アニールの後に、第2バリアメタル膜22bの上にプラグ用導電膜23を形成する工程と、プラグ用導電膜23、及び第1、第2バリアメタル膜22a、22bを第1ホール21a内に第1導電性プラグ24として残す工程とを有する半導体装置の製造方法による。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された導電パターンと、 前記半導体基板と前記導電パターンの上に形成され、該導電パターンの上にホールを備えた絶縁膜と、 前記ホール内に形成され、高融点金属を含む第1バリアメタル膜、高融点金属の窒化物よりなる第2バリアメタル膜、及びプラグ用導電膜を順に形成してなる導電性プラグとを有し、 前記第1バリアメタル膜における窒素濃度が該第1バリアメタルの上面から下面に向かって単調に減少し、且つ、該下面における窒素濃度が、前記導電パターンの上面における窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (3)：

H01L21/90 A ,  H01L21/90 C ,  H01L27/10 444B

F-Term (82)：

5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK35 ,  5F033LL09 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN40 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ78 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13 ,  5F083FR02 ,  5F083GA02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA53 ,  5F083KA01 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-023304   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-323093   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-076920   Applicant：富士通株式会社
• 配線基板、及び半導体装置、並びにそれらの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-228438   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• バリヤメタル層及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-116978   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• {111}配向性の高いアルミニウムインターコネクトを実現するTi/TiN/TiN▲x▼下層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-122623   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置および該装置を形成するためのプロセス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-201197   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-356467   Applicant：株式会社日立製作所