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J-GLOBAL ID：200903061738946140

半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法

Inventor： 後藤 修 ,  浅野 竹春 ,  竹谷 元伸 ,  鈴木 康彦 ,  渋谷 勝義 ,  水野 崇 ,  東條 剛 ,  内田 史朗 ,  池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001271947
Publication number (International publication number)：2002261395
Application date： Sep. 07, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 初期劣化率が低くて長寿命で動作電流の経時変化が極めて少なく、発光むらも極めて少ない、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を実現する。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、InおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばInGaNからなる活性層7と、第1の窒化物系III-V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばInGaNからなる中間層8と、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III-V族化合物半導体、例えばp型AlGaNからなるキャップ層8とを順次接触して積層する。

Claim (excerpt)：

InおよびGaを含む第1の窒化物系III-V族化合物半導体からなる活性層と、上記活性層に接した、上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体と異なるInおよびGaを含む第2の窒化物系III-V族化合物半導体からなる中間層と、上記中間層に接した、AlおよびGaを含む第3の窒化物系III-V族化合物半導体からなるキャップ層とを有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22

FI (3)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22

F-Term (45)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA58 ,  5F045DA59 ,  5F045DA63 ,  5F045HA13 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073EA19 ,  5F073EA20 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 化合物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-202772   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-020907   Applicant：株式会社東芝
• 3族窒化物化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-099096   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-039345   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-059680   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-202772   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-020907   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Japanese Journal of Applied Physics Part2, 1997, Vol.36 No.12A, p.L1568-1571

Cited by examiner (1)

• Japanese Journal of Applied Physics Part2, 1997, Vol.36 No.12A, p.L1568-1571