絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：岡戸昭佳 , 富澤孝 , 山中郁生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004096785
Publication number (International publication number)：2005286042
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】高耐圧化と低オン抵抗化とを確実に図ることができ,かつ簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,N+ ソース領域31,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,P- ボディ領域41を貫通するゲートトレンチ21,耐圧保持トレンチ27,終端トレンチ62がそれぞれ設けられている。そして,各トレンチの下方にはそれぞれPフローティング領域51,57,53が設けられている。最小径のゲートトレンチ21の内径L1は,セルエリアのゲートトレンチ21,21の間隔L2よりも広い。また,最小径のゲートトレンチ21と耐圧保持トレンチ27との間隔L3は,セルエリアのゲートトレンチ21,21の間隔L2よりも狭い。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通し,その底部が前記フローティング領域内に位置し,ゲート電極を内蔵するゲートトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, ゲートトレンチ部の底部に位置するフローティング領域のうち半導体基板の板面方向に対して隣り合う,フローティング領域の間にフローティング領域を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (3)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 652N , H01L29/78 653A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

トレンチゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-152980 Applicant：富士電機株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-029865 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309106 Applicant：三菱電機株式会社
トランジスタ、ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-260869 Applicant：新電元工業株式会社
特表平5-506335

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