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J-GLOBAL ID：200903072325483802

絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置

Inventor：
三好 秀典

About 三好 秀典

, 
川村 剛平

About 川村 剛平


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002254994
Publication number (International publication number)：2003179054
Application date： Aug. 30, 2002
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：
【要約】【課題】 N-H結合含有量の少ない絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】 真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ12内に供給し、ウェハW表面にSiCN系膜の厚さ1〜10nm程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハWを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のN-H結合が励起され、解離によりHが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのSiCN系膜を成膜する。
Claim (excerpt)：
シリコンと炭素と窒素とを主成分として構成され前記窒素に結合する水素を含む絶縁膜の薄膜を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜に含まれる窒素水素結合を励起して、前記窒素水素結合を解離させて前記窒素水素結合から水素を除去する水素除去工程と、を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (5)：
H01L 21/318 B ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 J
F-Term (47)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  5F033QQ28 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AE11 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045DC64 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045HA16 ,  5F045HA23 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
  • 半導体装置の製造方法及び製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068857   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238565   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229219   Applicant：日本電気株式会社
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