ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004235965
Publication number (International publication number)：2005062884
Application date： Aug. 13, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】投光基板上にクロム遮光層が形成され、その上にクロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも3:1以上になる導電性物質よりなるハードマスク層が形成され、その上にレジスト層が形成されるブランクフォトマスクである。投光基板とクロム遮光層間に位相反転層がさらに形成されうる。ハードマスク層は、望ましくはMoまたはMoSiを使用する。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

投光基板と、前記投光基板上に形成されたクロム遮光層と、前記クロム遮光層上に形成され、クロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも3:1以上になる導電性物質よりなるハードマスク層と、前記ハードマスク層上に形成されたレジスト層と、を含むブランクフォトマスク。

IPC (4)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/3065

FI (4)：

G03F1/08 K , G03F7/20 501 , H01L21/30 502P , H01L21/302 105A

F-Term (20)：

2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 2H095BC16 , 2H097LA10 , 5F004AA04 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004DB15 , 5F004DB18 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EB07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

米国特許第6,472,107号公報
米国特許公開第2003/0013023号公報

Cited by examiner (13)

特開昭61-138256
ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-201651 Applicant：三星電子株式会社
特開昭63-173051

Show all

Return to Previous Page