高解像フォトマスクおよびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999025806
Publication number (International publication number)：1999271958
Application date： Feb. 03, 1999
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】臨界寸法(CD)の変動を減少させて高解像度のフォトマスクを作成する方法を提供する。【解決手段】 CDの変動の減少は、電子ビーム・リソグラフィとドライまたはウェット・エッチングによりパターニング可能な、薄い導電性転写層13を使用することによって実現できる。パターンは、反応性イオン・エッチングにより下層膜12へ転写する。下層膜は、365,248および193nmで不透明または部分透明とすることができる。薄い導電層13は、例えば、薄いCr膜とし、不透明または部分透明な材料は、カーボン膜,シリサイド金属,またはシリサイド・オキシ-ナイトライド膜とすることができる。

Claim (excerpt)：

紫外線および深紫外線の波長で高解像度フォトマスクを形成する方法において、上層と下層を有する2層膜構造を、石英ブランク・プレート上に付着させる工程と、前記上層を、リソグラフィとエッチングによりパターニングする工程と、前記上層をパターン転写層として使用して、前記下層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 1/08 K , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330046 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開昭62-018560
特開平2-268414

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