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J-GLOBAL ID:200903083080553631
p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造とその形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000125121
Publication number (International publication number):2001015852
Application date: Apr. 26, 2000
Publication date: Jan. 19, 2001
Summary:
【要約】【課題】 p型のIII族窒化物半導体層上で安定した低抵抗と高い密着強度を有する電極構造を提供する。【解決手段】 p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造は、その半導体層上に順次積層された第1、第2および第3の電極層(102,103,104)を含み、第1電極層(102)はTi,Hf,Zr,V,Nb,Ta,Cr,WおよびScからなる第1金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、第2金属層(103)はNi,PdおよびCoからなる第2金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、そして第3電極層(104)はAuを含むことを特徴としている。
Claim (excerpt):
p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造であって、前記半導体層上に順次積層された第1、第2および第3の電極層を含み、前記第1電極層はTi、Hf、Zr、V、Nb、Ta、Cr、W、およびScからなる第1金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、前記第2電極層はNi、Pd、およびCoからなる第2金属グループから選択された少なくとも1種類を含み、前記第3電極層はAuを含むことを特徴とする電極構造。
IPC (2):
H01S 5/042 610
, H01L 33/00
FI (3):
H01S 5/042 610
, H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-100155
Applicant:豊田合成株式会社
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3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-281512
Applicant:豊田合成株式会社
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窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-335580
Applicant:エルジー電子株式会社
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3族窒化物半導体の電極及びその電極を有した素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-178555
Applicant:豊田合成株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-236743
Applicant:株式会社東芝
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半導体素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-342915
Applicant:三洋電機株式会社
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窒化物系化合物半導体の電極および半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-058073
Applicant:三洋電機株式会社
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窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-298009
Applicant:株式会社豊田中央研究所, 豊田合成株式会社
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電極の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-110388
Applicant:シャープ株式会社
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GaN系半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-283278
Applicant:豊田合成株式会社
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