半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081447
Publication number (International publication number)：2002280611
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光層で生じる横方向の光を外界に向かわせる新規な構造が付与された発光素子を提供すること。【解決手段】第一層1の表面に凹凸1aを加工し、第一層とは異なる屈折率を有する第二層2を該凹凸を埋め込んで成長させる(または、成長の基礎となる結晶層S上に第一結晶10を凹凸状に成長させ、第一結晶とは異なる屈折率を有する第二結晶20を成長させる)。これら凹凸状の屈折率界面1a(10a)を形成した後、その上に、発光層Aを含む半導体結晶層が積層された素子構造を形成する。これによって、発光層に生じた横方向の光が凹凸状の屈折率の界面に影響を受け、方向を変える。

Claim (excerpt)：

第一の結晶層表面に凹凸が加工され、その上に、前記結晶層とは異なる屈折率を有する半導体材料からなる第二の結晶層が、バッファ層を介してまたは直接的に、該凹凸を埋め込んで成長しており、その上に、発光層を含む半導体結晶層が積層された素子構造を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (36)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA51 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA64 , 5F045DB02 , 5F045DB05 , 5F045DB09 , 5F045HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

分布帰還型半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045365 Applicant：シャープ株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-064003 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体発光素子および発光ランプ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-069421 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (11)

半導体発光素子および発光ランプ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-069421 Applicant：三洋電機株式会社
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-275826 Applicant：日亜化学工業株式会社

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