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J-GLOBAL ID：200903063371448125

半導体装置とその製造方法

Inventor：
川尻 和廣

About 川尻 和廣

, 
安松 正敏

About 安松 正敏


Applicant, Patent owner：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

About 富士フイルムマイクロデバイス株式会社

, 
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998214338
Publication number (International publication number)：1999121653
Application date： Jul. 29, 1998
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体チップと透明基板との間に中空部を形成し、種々の半導体チップを透明基板に実装することができる半導体装置又はその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 電極(2)を有する半導体チップ(1)と、半導体チップに対向して設けられかつ電極(6)を有する透明基板(7)と、半導体チップの電極と透明基板の電極とを電気的に接続する導電性部材(4)と、半導体チップと透明基板の間において一部を中空にして他の部分に充填される絶縁性部材(12)とを有する半導体装置。
Claim (excerpt)：
電極を有する半導体チップと、前記半導体チップに対向して設けられかつ電極を有する透明基板と、前記半導体チップの電極と前記透明基板の電極とを電気的に接続する導電性部材と、前記半導体チップと前記透明基板の間において一部を中空にして他の部分に充填される絶縁性部材とを有する半導体装置。
IPC (4)：
H01L 23/12 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/02 ,  H04N 5/335
FI (4)：
H01L 23/12 F ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/02 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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