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J-GLOBAL ID：200903063754553810

近接場光発生素子の製造方法

Inventor：
朴 馬中

About 朴 馬中

, 
大海 学

About 大海 学

, 
平田 雅一

About 平田 雅一


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツル株式会社

About セイコーインスツル株式会社


Agent (1)： 松下 義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007006233
Publication number (International publication number)：2007212450
Application date： Jan. 15, 2007
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：
【課題】 本発明の目的は、高度な微細加工技術を用いなくても、素子先端部分を簡便かつ低コストで加工することである。【解決手段】 本発明は、多角推の形状をした錐台102を有し、錐台102の先端に形成された開口から近接場光を発生する近接場光発生素子の製造方法であって、錐台102の側面上に金属膜を形成する形成工程と、金属膜を形成した後に錐台102の側面上と頂面において残存している金属膜の残滓に対して外力を与えることにより残滓を除去する残滓除去工程とを含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
多角推の形状をした錐台を有し、前記錐台の先端に形成された開口から近接場光を発生する近接場光発生素子の製造方法であって、 前記錐台の側面上に金属膜を形成する形成工程と、前記金属膜を形成した後に前記錐台の前記側面上と頂面において残存している前記金属膜の残滓に対して外力を与えることにより前記残滓を除去する残滓除去工程と、を含むことを特徴とする近接場光発生素子の製造方法。
IPC (3)：
G01N 13/14 ,  H01L 21/027 ,  G11B 7/135
FI (3)：
G01N13/14 B ,  H01L21/30 502D ,  G11B7/135 A
F-Term (6)：
5D789AA11 ,  5D789AA38 ,  5D789CA22 ,  5D789JA66 ,  5D789NA05 ,  5F046BA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 特開2001 -118543 号公報
  • 特開2002 -221478 号公報
Cited by examiner (11)
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