窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999007830
Publication number (International publication number)：2000156544
Application date： Jan. 14, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】活性領域や該活性領域の周辺部の結晶品質を向上させることにより、動作特性に優れる窒化物半導体素子を実現できるようにする。【解決手段】基板温度を1020°Cにして、サファイアからなる基板11上に、n型Al0.1 Ga0.9 Nからなるn型クラッド層14、n型GaNからなるn型光ガイド層15、及びn型光ガイド層15の構成原子の再蒸発を抑制してn型光ガイド層15の表面平坦性を維持するn型Al0.2 Ga0.8 Nからなる平坦性維持層16とを順次成長させる。次に、III 族原料ガスの供給を止め、基板温度を780°Cにまで降温すると共にキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに切り替え、その後、V族源にNH3 、III 族源にTMIとTMGとを選択的に導入することにより多重量子井戸構造を持つ活性層17を成長させる。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の窒化物半導体からなる半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上に、前記半導体層の構成原子の蒸発を抑制することにより前記半導体層の表面平坦性を維持する第2の窒化物半導体からなる平坦性維持層を形成する工程と、前記平坦性維持層の上に第3の窒化物半導体からなる活性層を形成する工程とを備えていることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/323 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00 C

F-Term (19)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社
3族窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-320797 Applicant：豊田合成株式会社, 科学技術振興事業団
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106555 Applicant：日亜化学工業株式会社

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