ミクロンおよびサブミクロン構造を有する半導体および他のマイクロ装置およびナノ装置の製造中の光学-機械式構造作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤政喜 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366804
Publication number (International publication number)：2003249444
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】作製中の半導体装置または他のマイクロ装置またはナノ装置のポリマー層内に、ミクロンおよびサブミクロン寸法の構造を作製する方法およびシステムを提供する。【解決手段】ミクロンおよびサブミクロン素子および構成要素を有するように構成された装置のポリマー層(402、502)内に構造を作製する方法において、光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)を配設する段階と、前記光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)からのパターンを前記ポリマー層(402、502)上に機械的に転写して、前記ポリマー層内に狭小構造を形成する段階と、放射線を光学-機械式パターン型押しマスクに透過させて、ポリマーの領域(411、520)に放射線を選択的に照射して、ポリマーの露光領域およびポリマーの非露光領域に化学安定度の差を生じる段階と、化学除去方法の影響を受けやすいポリマーの領域(411、520)を除去する段階と、を備える。

Claim (excerpt)：

ミクロンおよびサブミクロン素子および構成要素を有するように構成された装置のポリマー層(402、502)内に構造を作製する方法において、光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)を配設する段階と、前記光学-機械式パターン型押しマスク(403、503)からのパターンを前記ポリマー層(402、502)上に機械的に転写して、前記ポリマー層内に狭小構造を形成する段階と、放射線を光学-機械式パターン型押しマスクに透過させて、ポリマーの領域(411、520)に放射線を選択的に照射して、ポリマーの露光領域およびポリマーの非露光領域に化学安定度の差を生じる段階と、化学除去方法の影響を受けやすいポリマーの領域(411、520)を除去する段階と、を備えることを特徴とする方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/265 604 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6)：

G03F 1/08 G , G03F 7/20 521 , H01L 21/265 604 M , H01L 21/30 502 D , H01L 29/78 627 C , H01L 29/78 616 A

F-Term (18)：

2H095BA01 , 2H095BB28 , 2H095BB29 , 2H095BC04 , 2H095BC24 , 5F046AA28 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110EE02 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜パターン製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-270458 Applicant：株式会社日立製作所
パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-370629 Applicant：富士通株式会社
デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-224839 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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