有機絶縁膜及びその製造方法及び有機絶縁膜を用いた半導体装置及びその製造方法。

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003006285
Publication number (International publication number)：2004221275
Application date： Jan. 14, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】現在、一般的に検討されているSiCやSiCNは比誘電率が4.5から5程度、SiOCは2.8から3.0程度である。デバイスの縮小化により、配線サイズと配線間隔の微細化が更に進むと、比誘電率の更なる低減が求められている。また、SiOCとSiCN及び、SiCとのエッチング選択比がちいさいために、エッチングストッパ膜として、SiCN及びSiCを用いた場合、金属配線層の表面が、フォトレジストを除去する際に酸化し、接続抵抗が高くなるという問題がある。【構成】少なくともC/Si比が5以上で、且つ、分子量が100以上の有機シランを原料として形成された、SiOCH、SiCNH及び、SiCHからなる有機絶縁膜、及び、該有機絶縁膜を用いた半導体装置、特に、溝構造を有する半導体装置に関するものである。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

少なくともC/Si比が5以上で、且つ、分子量が100以上の有機シランを原料として形成されたことを特徴とする有機絶縁膜。

IPC (4)：

H01L21/312 , C08F30/08 , C08G77/60 , H01L21/768

FI (5)：

H01L21/312 C , C08F30/08 , C08G77/60 , H01L21/90 A , H01L21/90 J

F-Term (62)：

4J100AP16P , 4J100BA71P , 4J100BA72P , 4J246AA17 , 4J246AA19 , 4J246BB440 , 4J246BB452 , 4J246FA561 , 4J246HA63 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH14 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ14 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK14 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR21 , 5F033SS15 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF02 , 5F058AH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

層間絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-113469 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-311538 Applicant：日本電気株式会社
絶縁膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-083781 Applicant：株式会社日立国際電気

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