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J-GLOBAL ID:200903064913582288

透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小越 勇 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001025078
Publication number (International publication number):2002226966
Application date: Feb. 01, 2001
Publication date: Aug. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 良好な可視光の透過率と高導電性を維持しながら、適度なエッチング性を備えた透明電極膜を得る。また、この透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染(コンタミ)を無視できるターゲットを得ることを目的とする。【解決手段】 酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1〜5重量%含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜。
Claim (excerpt):
酸化インジウム中に酸化ジルコニウム0.1〜5重量%含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とする透明電極膜。
IPC (4):
C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285
FI (4):
C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/285 S
F-Term (15):
2H092HA04 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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