窒化物系化合物半導体発光およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000005385
Publication number (International publication number)：2001196632
Application date： Jan. 14, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来技術では、窒化物系化合物半導体発光素子を形成する場合において、熱処理あるいは電子線照射処理することなく、as grownで高い正孔濃度を有するp型導電を示す窒化物系化合物半導体結晶を得ることができなかった。したがって、従来の窒化物系化合物半導体発光素子では、コンタクト抵抗の大きいこと、熱処理によるダメージなどで、十分に発光素子特性を向上させることができなかった。本発明では上記課題を解決し、低駆動電流・電圧で発光し、かつ、高輝度の窒化物系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明では、結晶方位が<0001>方向より0.05°以上2°以下の範囲で傾斜したGaN基板上に、窒化物系化合物半導体(Ga<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Al<SB>1-(x+y)</SB>N,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるアクセプタードーピング層と活性層を有する構成とすることによって、

Claim (excerpt)：

結晶方位が<0001>方向より0.05°以上2°以下の範囲で傾斜したGaN基板上に、窒化物系化合物半導体(Ga<SB>x</SB>In<SB>y</SB>Al<SB>1-(x+y</SB><SB>)</SB>N,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなるアクセプタードーピング層と活性層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 5/343

F-Term (18)：

5F041AA04 , 5F041AA21 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F073AA07 , 5F073AA51 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (24)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082778 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-027522 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-022181 Applicant：三洋電機株式会社

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