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J-GLOBAL ID：200903074802314255

プラズマ処理方法及び装置

Inventor：
奥村 智洋

About 奥村 智洋

, 
斎藤 光央

About 斎藤 光央


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003068047
Publication number (International publication number)：2004281519
Application date： Mar. 13, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】極めて微小な領域のみにプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供すること。【解決手段】外側ガス噴出口6、内側ガス噴出口8、電極14を有するプラズマ源を、薄板17に近接して配置させ、内側ガス噴出口からヘリウムを、外側ガス噴出口から6フッ化硫黄を供給しつつ、電極14にパルス電圧を供給することにより、シリコン製薄板17の微小な線状領域をエッチング処理することを特徴とするものである。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
内側ガス噴出口及び内側ガス噴出口よりも外側に配置された外側ガス噴出口を有するプラズマ源を被処理物に近接させて被処理物の一部を処理するプラズマ処理方法であって、内側ガス噴出口から不活性ガスを主体とするガスを被処理物に向けて噴出しつつ、外側ガス噴出口から反応性ガスまたは内側ガス噴出口から噴出させるガスよりも放電しにくいガスを噴出させ、プラズマ源に設けられた電極または被処理物に電圧を供給することによって、プラズマ源と被処理物間にプラズマを発生させるに際して、電圧を、ON時間が0.1から10μsであるパルス状としたこと を特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (4)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
F-Term (41)：
4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA63 ,  4G075EC21 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG15 ,  4K057DM06 ,  4K057DM20 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004EA38 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AE29 ,  5F045DP03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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