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J-GLOBAL ID：200903068126785894

光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Inventor：
浦崎 直之

About 浦崎 直之


Applicant, Patent owner：
日立化成工業株式会社

About 日立化成工業株式会社


Agent (7)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004326505
Publication number (International publication number)：2006140207
Application date： Nov. 10, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：
【課題】可視光から近紫外光領域において高い反射率を有する高放熱性の光反射用熱硬化性樹脂組成物及びその樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板及び光半導体搭載用基板の製造方法を提供する。【解決手段】光反射用熱硬化性樹脂組成物が(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、(D)充填剤(E)カップリング剤を含有する樹脂組成物であって、熱硬化後の、波長800nm〜350nmにおける光反射率が80%以上であり、かつ熱伝導率が1〜10W/mKの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することにより高光反射率、高放熱性の光半導体搭載用基板を作製することが可能となった。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、(D)無機充填剤、(E)白色顔料、および(F)カップリング剤を含有する熱硬化性樹脂組成物において、 熱硬化後の、波長800nm〜350nmにおける光反射率が80%以上であり、かつ熱伝導率が1〜10W/mKの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 N
F-Term (7)：
5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 発光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-110673   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社東芝
Cited by examiner (7)
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