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J-GLOBAL ID：200903068170370251

ポジ型レジスト組成物

Inventor：
佐藤 和史

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新田 和行

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山崎 晃義

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坂井 与日

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中山 寿昌

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Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

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Agent (1)： 服部 平八
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175638
Publication number (International publication number)：1997006002
Application date： Jun. 20, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、(A)成分が(イ)水酸基の10〜60モル%をtert-ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンと、(ロ)水酸基の10〜60モル%が一般式(1)(式中、R1は水素原子又はメチル基、R2はメチル基又はエチル基、R3は低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であるポジ型レジスト組成物。【効果】ポジ型レジスト組成物は、化学増幅型であって、高感度、高解像性及び高耐熱性で、紫外線、遠紫外線、KrF、ArFなどのエキシマレーザー、X線、及び電子線に良好に感応し、超LSIの製造工程の微細加工に特に有効である。
Claim (excerpt)：
(A)酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機カルボン酸化合物を含むポジ型レジスト組成物において、前記(A)成分が(イ)水酸基の10〜60モル%をtert-ブチルオキシ基としたポリヒドロキシスチレンと、(ロ)水酸基の10〜60モル%が一般式化1【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基であり、R2はメチル基又はエチル基であり、R3は低級アルキル基である。)で表わされる残基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (5)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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