高周波半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：高田守 , 高橋英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005369677
Publication number (International publication number)：2007173556
Application date： Dec. 22, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：

【課題】ゲート・ドレイン間耐圧を低下させることなく出力電力を大きくできる高周波半導体装置を構成する。【解決手段】この発明に係る高周波半導体装置は、半絶縁性のGaAs基板24の上に配設された活性領域16と、この活性領域16の上に配設されたゲート電極18と、このゲート電極18を介して活性領域16の表面上に互いに対向して配設されたソース電極20及びドレイン電極22とを備え、活性領域16のうちゲート電極とドレイン電極との間のドレイン側活性領域16aがゲート電極からドレイン電極に向かって幅広に配設されたものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半絶縁性の半導体基板と、この半導体基板の上に配設され、導電型の半導体層からなるチャネル層を含む活性領域と、この活性領域の上に配設されたゲート電極と、このゲート電極を介して上記活性領域の表面上に互いに対向して配設されたソース電極及びドレイン電極とを備え、上記活性領域のうちゲート電極とドレイン電極との間の第1の領域がゲート電極からドレイン電極に向かって幅広に配設されたことを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/80 L

F-Term (23)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GN05 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GR12 , 5F102GR13 , 5F102GR15 , 5F102GS04 , 5F102GS07 , 5F102GT03 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-397982 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-233200 Applicant：富士通株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-315539 Applicant：三菱電機株式会社

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Cited by examiner (4)

特開平2-262341
化合物半導体電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-334585 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-235346

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