半導体レ-ザ素子の選別方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002200290
Publication number (International publication number)：2004047568
Application date： Jul. 09, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】半導体レ-ザ素子を選別するにあたり、突然劣化および急速劣化しうる不良素子の選別除去を確実に行うことができる方法を提供することを目的とする。【解決手段】電流を50°C以上の高温で10時間以上通電する第1の過程と、前記第1の過程後で、半導体レーザ素子に前記第1の電流よりも大なる最大電流値まで掃引を行ない、その電流値での光出力の低下率により選別する第2の過程と、前記第1の過程の前後に光出力特性を測定し、その測定結果を選別基準にしたがって、不良品を排除する第3の過程、からなることを特徴とする半導体レーザ素子の選別方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子に定格電流以上の電流を50°C以上の高温で10時間以上通電する第1の過程と、前記第1の過程後で、半導体レーザ素子に前記第1の電流よりも大なる最大電流値まで掃引を行ない、その電流値での光出力の低下率により選別する第2の過程と、前記第1の過程の前後に光出力特性を測定し、その測定結果を選別基準にしたがって、不良品を排除する第3の過程、からなることを特徴とする半導体レーザ素子の選別方法。

IPC (1)：

H01S5/00

FI (1)：

H01S5/00

F-Term (5)：

5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073EA29 , 5F073HA07 , 5F073HA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

光半導体製造方法およびエージング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-006547 Applicant：ノーゼルエンジニアリング株式会社
半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264963 Applicant：シャープ株式会社
半導体光デバイス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-227025 Applicant：三菱化学株式会社

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