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J-GLOBAL ID：200903055327880947

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor：
斉藤 肇

About 斉藤 肇


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999188139
Publication number (International publication number)：2001015859
Application date： Jul. 01, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：
【要約】【課題】 高出力動作時の信頼性に優れた窓構造の半導体レーザ素子を高歩留りで作製する。【解決手段】 電流ブロック層110をエッチングして電流非注入領域115を形成するためのマスクとしてSiO2膜を用いる。このSiO2膜により直下の結晶にGa空孔を生じさせ、これを量子井戸活性層103に拡散させて無秩序化させることにより窓構造領域112を形成する。両領域の位置合わせ工程等を行わなくても、セルフアラインで電流非注入領域115と窓構造領域112とを形成することができる。
Claim (excerpt)：
少なくとも第1導電型の第1クラッド層と第2導電型の第2クラッド層と、両クラッド層で挟まれた量子井戸活性層を備え、該第2クラッド層上に、少なくとも第2導電型の第3クラッド層を共振器方向のリッジストライプ状に有する半導体レーザ素子において、該リッジストライプの両側面、および少なくとも光出射端面およびその近傍の該リッジストライプ上部分に第1導電型の半導体からなる電流ブロック層を備え、該端面およびその近傍に量子井戸活性層を無秩序化した窓構造領域を有する半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 3/18 648 ,  H01S 3/18 665 ,  H01S 3/18 677
F-Term (11)：
5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA86 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA14 ,  5F073DA15 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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