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J-GLOBAL ID：200903068782562524

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor：
吉川 圭

About 吉川 圭

, 
橋本 耕治

About 橋本 耕治

, 
井上 壮一

About 井上 壮一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 三好 秀和 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002047944
Publication number (International publication number)：2002359352
Application date： Feb. 25, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 チップ面積の増加無しに微細パターンの形成可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供し、また露光工程数を削減する。【解決手段】 被加工膜3上のハードマスク材料膜4上にレジストパターン5を露光解像限界寸法に形成し、レジストパターン5をマスクとして材料膜4を加工しハードマスクパターン6を形成し、マスクパターン6の選択領域6aを露出させる開口7aを有し、非選択領域6bを被覆するレジストパターン7を形成する。開口7a内に露出したマスクパターン部6aのみを選択的エッチング加工し細らせ、マスクパターン6を用いて被加工膜3をエッチング加工し、露光解像限界寸法幅の広いパターン部8bと解像限界以下の細いパターン部8aを持つ被加工膜パターン8を形成する。
Claim (excerpt)：
被加工膜上にマスク材料膜を堆積させ、該マスク材料膜上に第1の露光工程により第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンをマスクに前記マスク材料膜を加工してマスクパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを剥離する工程と、前記マスクパターンを含む前記被加工膜上に、第2の露光工程により前記マスクパターンの選択領域を露出するための開口を有し、かつ非選択領域を被覆するような第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンの開口内に露出された前記マスクパターン部分を細らせる工程と、前記第2のレジストパターンを剥離する工程と、前記マスクパターンをマスクに前記被加工膜をエッチング加工して、広い寸法幅のパターン部と細い寸法幅のパターン部とを有する被加工膜パターンを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78
FI (9)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 21/28 E ,  H01L 21/88 C ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 27/08 102 C
F-Term (80)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD71 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033NN40 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ29 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F046AA20 ,  5F046NA07 ,  5F046PA03 ,  5F046PA04 ,  5F046PA11 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048BB03 ,  5F048BB05 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BF04 ,  5F140BF56 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG19 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ04 ,  5F140BK13 ,  5F140BK27 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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