低誘電率材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138690
Publication number (International publication number)：1998330486
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Dec. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体素子用層間絶縁膜、IC基板などに適用可能な低誘電率材料を提供する。【解決手段】 B,Al,Ge,Ti,Y,Zr,Nb,Taから選ばれる1種類以上の金属元素Mと酸素から成る無機ポリマーと、Si(-O-)4 ,R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 (R1 ,R2 ,R3 はアルキル基、アリール基またはアラルキル基)の3種類のSiユニットのうち、R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 の少なくともどちらか一方を含む1種類以上のSiユニットから成る材料において、R1 Si(-O-)3 のみを含む場合はR1 の一部、R2 R3 Si(-O-)2 のみ、あるいはR1 Si(-O-)3とR2 R3 Si(-O-)2 の両方を含む場合はR1 および/またはR2 のそれぞれ一部または全部をHで置換したことを特徴とする低誘電率材料。

Claim (excerpt)：

B,Al,Ge,Ti,Y,Zr,Nb,Taから選ばれる1種類以上の金属元素Mと酸素からなるM(-O-)n (nは金属Mが結合する酸素の数)と、Si(-O-)4 ,R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2 (R1 ,R2 ,R3 はアルキル基、アリール基またはアラルキル基)の3種類のSiユニットのうち、R1 Si(-O-)3 ,R2 R3 Si(-O-)2の少なくともどちらか一方を含む1種類以上のSiユニットから成る材料において、R1 Si(-O-)3 のみを含む場合はR1 の一部、R2 R3 Si(-O-)2 のみ、あるいはR1 Si(-O-)3 とR2 R3 Si(-O-)2 の両方を含む場合はR1 および/またはR2 のそれぞれ一部または全部をHで置換したことを特徴とする低誘電率材料。

IPC (3)：

C08G 77/22 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (3)：

C08G 77/22 , H01L 21/312 C , H01L 21/90 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-191689 Applicant：日立化成工業株式会社
酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法、酸化物被膜及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-196207 Applicant：日立化成工業株式会社
特開平4-216827

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