ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターンの形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：正林真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006158894
Publication number (International publication number)：2007329276
Application date： Jun. 07, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】ナノインプリントリソグラフィを用いて、エッチング耐性に優れた高アスペクト比のレジストパターンを形成できる方法を提供できる。【解決手段】支持体1上に、有機層4を形成する工程、該有機層4上にシルセスキオキサン樹脂(A)を含む化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト層2を形成する工程、部分的に遮光部5を有する光透過型のモールド3をレジスト層2に押し付けた後、モールド3上から露光する工程、及びモールド3を剥離する工程を含む、ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターン形成方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持体上に、有機層を形成する工程、該有機層上にシルセスキオキサン樹脂(A)を含む化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト層を形成する工程、部分的に遮光部を有する光透過型のモールドを前記レジスト層に押し付けた後、前記モールド上から露光する工程、及び前記モールドを剥離する工程を含む、ナノインプリントリソグラフィによるレジストパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 , B81C 5/00 , G03F 7/11 , G03F 7/038 , G03F 7/075 , G03F 7/38

FI (7)：

H01L21/30 502D , H01L21/30 573 , B81C5/00 , G03F7/11 503 , G03F7/038 601 , G03F7/075 521 , G03F7/38 501

F-Term (22)：

2H025AA00 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025CB00 , 2H025CB33 , 2H025CC17 , 2H025DA40 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA06 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA18 , 5F046AA28 , 5F046BA10 , 5F046NA01 , 5F046NA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

パターン形成方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-097690 Applicant：シャープ株式会社
段付き鋳張り捺印式リソグラフィー
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-604271 Applicant：ボード・オヴ・リージェンツ,ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・テキサス・システム
インプリント・リソグラフィ・プロセスおよびシステム
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-529089 Applicant：モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド

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