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J-GLOBAL ID：200903070673764359

カーボンナノチューブの作製方法およびカーボンナノチューブの作製装置

Inventor：
根岸 哲

About 根岸 哲


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004333057
Publication number (International publication number)：2006143496
Application date： Nov. 17, 2004
Publication date： Jun. 08, 2006
Summary：
【課題】 所望の方向に配向しているカーボンナノチューブを、所望の形状の触媒金属または非触媒金属上に直接作製するカーボンナノチューブの作製方法、および、カーボンナノチューブの作製装置を提供すること。【解決手段】 陰極402の陽極側の表面に、基板404を配置する基板配置工程を行った後、ガス供給部406からメタンガスと水素ガスから成る混合ガスを所定量チャンバー401内に供給すると共に、ヒーター407を用いて基板404の温度を所定の温度に調整する。その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源409によって、陰極402と陽極403との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極402の上に配置された基板404上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第2の電極に対向する第1の電極における上記第2の電極に面する表面に基板を配置する基板配置工程と、 上記第1の電極と第2の電極との間に電場を生成した上で、上記基板上にカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブ形成工程と を備えることを特徴とするカーボンナノチューブの作製方法。
IPC (4)：
C01B 31/02 ,  B82B 3/00 ,  H01J 9/02 ,  H05H 1/24
FI (4)：
C01B31/02 101F ,  B82B3/00 ,  H01J9/02 B ,  H05H1/24
F-Term (40)：
4G146AA11 ,  4G146AD23 ,  4G146AD28 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146AD31 ,  4G146AD32 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC33B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G146DA22 ,  4G146DA23 ,  4G146DA40 ,  4G146DA46 ,  5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C127DD70 ,  5C127DD99 ,  5C127EE15 ,  5C127EE20 ,  5H027AA02 ,  5H027BA13 ,  5H050BA08 ,  5H050CB07 ,  5H050GA27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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