高周波増幅器

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：田澤英昭 , 濱田初音
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008184532
Publication number (International publication number)：2009159591
Application date： Jul. 16, 2008
Publication date： Jul. 16, 2009
Summary：

【課題】広帯域に高調波整合を図ることができて、広帯域で効率を高めることができるとともに、高調波整合に対する設計自由度を高めることができる高周波増幅器を得ることを目的とする。【解決手段】整合回路3の表面に形成されている配線パターン4が、FET1と電気的に接続されている主線路5と、一端が主線路5と接続されて、主線路5の外側に配置されているオープンスタブ6と、一端が主線路5と接続されて、主線路5の外側に配置されており、FET1から発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有するオープンスタブ7とから構成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

入力信号を増幅するトランジスタと、上記トランジスタと電気的に接続されている配線パターンが表面に形成されており、上記トランジスタのインピーダンスを変換する整合回路とを備えた高周波増幅器において、上記整合回路の表面に形成されている配線パターンは、上記トランジスタと電気的に接続されている主線路と、一端が上記主線路と接続されて、上記主線路の外側に配置されている第1のオープンスタブと、一端が上記主線路と接続されて、上記主線路の外側に配置されており、上記トランジスタから発生する高調波のインピーダンスがショートになる寸法の線路長を有する第2のオープンスタブとから構成されていることを特徴とする高周波増幅器。

IPC (1)：

H03F 3/60

FI (1)：

H03F3/60

F-Term (16)：

5J067AA04 , 5J067AA67 , 5J067CA27 , 5J067CA36 , 5J067CA62 , 5J067FA20 , 5J067HA09 , 5J067HA25 , 5J067KA29 , 5J067KA68 , 5J067KS11 , 5J067LS12 , 5J067QA03 , 5J067QS02 , 5J067SA13 , 5J067TA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-004387 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (9)

高周波回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-221936 Applicant：富士通株式会社
広帯域短絡回路ならびにそれを用いた電力増幅器およびミキサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-362772 Applicant：松下電器産業株式会社
マイクロ波用半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-215317 Applicant：株式会社東芝

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