半導体装置および半導体基板ならびにそれらの製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000303217
Publication number (International publication number)：2001176809
Application date： Oct. 03, 2000
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】格子欠陥をより低減した半導体装置を提供する。【解決手段】基板法線方向から見て閉じた形状の窪み104が表面に設けられた基板102と、少なくとも窪み104の内面(105、106、107)からの結晶成長によって基板102の表面上に形成された半導体層103とを備えた半導体装置である。

Claim (excerpt)：

基板法線方向から見て閉じた形状の窪みが表面に設けられた基板と、少なくとも前記窪みの内面からの結晶成長によって前記基板の前記表面上に形成された半導体層とを備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01S 5/343

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01S 5/343

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322132 Applicant：豊田合成株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-005475 Applicant：株式会社日立製作所
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-292684 Applicant：株式会社東芝

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-288155 Applicant：三洋電機株式会社
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