高密度高配向カーボンナノチューブの合成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：平山一幸 , 篠田哲也 , 海津保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004133744
Publication number (International publication number)：2005314160
Application date： Apr. 28, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】厳密な制御を必要とせずに、容易に、高密度、高配向のカーボンナノチューブを大量に低コストで合成する方法を提供する。【解決手段】表面に酸化ケイ素膜22を有するSi基板21上に、サイズの制御された遷移金属微粒子23を堆積し、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱する。酸化ケイ素膜を介しているので、遷移金属微粒子23がSi基板21と反応して沈み込むことが無くなり、その結果、容易に、再現性良く、高密度、高配向のカーボンナノチューブを、大量、かつ、低コストで合成できる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

触媒の基板への沈み込みを防止する沈み込み防止膜を表面に形成し、この沈み込み防止膜上に触媒微粒子を島状に担持させ、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱することを特徴とする、高密度高配向カーボンナノチューブの合成方法。

IPC (2)：

C01B31/02 , B01J23/745

FI (2)：

C01B31/02 101F , B01J23/74 301M

F-Term (49)：

4G069AA15 , 4G069BA02B , 4G069BB02B , 4G069BC29A , 4G069BC66B , 4G069CB35 , 4G069CC40 , 4G069DA05 , 4G069EA08 , 4G069FA05 , 4G069FB02 , 4G069FB30 , 4G146AA11 , 4G146AC03B , 4G146AD23 , 4G146AD24 , 4G146AD25 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146AD31 , 4G146AD37 , 4G146BA11 , 4G146BA49 , 4G146BC03 , 4G146BC08 , 4G146BC33B , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G169AA15 , 4G169BA02B , 4G169BB02B , 4G169BC29A , 4G169BC66B , 4G169CB35 , 4G169CC40 , 4G169DA05 , 4G169EA08 , 4G169FA05 , 4G169FB02 , 4G169FB30 , 5C127BA09 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127CC03 , 5C127DD08 , 5C127DD12 , 5C127DD38 , 5C127DD39 , 5C127EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-193629 Applicant：科学技術振興事業団, 独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (7)

有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-193629 Applicant：科学技術振興事業団, 独立行政法人物質・材料研究機構
カーボンナノチューブの合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-175498 Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
熱化学気相蒸着装置及びこれを用いたカーボンナノチューブの低温合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-179984 Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック

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