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J-GLOBAL ID：200903071408505500

ケイ素ポリマー組成物、ケイ素酸化膜の形成方法および半導体素子

Inventor： 御子柴 智 ,  早瀬 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998182430
Publication number (International publication number)：2000017172
Application date： Jun. 29, 1998
Publication date： Jan. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 自由体積の大きなケイ素酸化膜を形成可能なケイ素ポリマー組成物を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式(3)で表わされるシラン化合物とを含有するケイ素ポリマー組成物である。【化1】(上記一般式中、R11は、水素原子、炭素数1〜5の置換、無置換のアルキル基又は置換、無置換のフェニル基、R31は水素原子、メチル基又はフェニル基、nは6,8又は10である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を有する重合体と、下記一般式(3)で表わされるシラン化合物とを含有するケイ素ポリマー組成物。【化1】(上記一般式(1)中、R11は、水素原子、炭素数1〜5の置換、無置換のアルキル基または置換、無置換のフェニル基である。)【化2】(上記一般式(3)中、R31は水素原子、メチル基またはフェニル基、nは6,8または10である。)

IPC (4)：

C08L 83/04 ,  C08L 83/08 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08L 83/04 ,  C08L 83/08 ,  H01L 23/30 D

F-Term (13)：

4J002CP031 ,  4J002CP032 ,  4J002CP041 ,  4J002CP042 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002GQ05 ,  4J002HA05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA10 ,  4M109EA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-023622   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体及びその絶縁膜または平坦化膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-304785   Applicant：昭和電工株式会社
• 半導体用絶縁膜または平坦化膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-282657   Applicant：昭和電工株式会社
• ポリシラザン系塗布液及びそれを用いたセラミックス被膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-281582   Applicant：東京応化工業株式会社, 東燃株式会社
• シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-227116   Applicant：触媒化成工業株式会社
• 線間容量を低減するための多孔質誘電体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-166762   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 絶縁膜形成材料、並びにこれを用いた絶縁膜形成方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-196064   Applicant：富士通株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-252467   Applicant：富士通株式会社