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J-GLOBAL ID：200903071739770190

光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置

Inventor：
片山 博之

About 片山 博之

, 
久保 麻美

About 久保 麻美


Applicant, Patent owner：
日東電工株式会社

About 日東電工株式会社


Agent (1)： 細田 芳徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007306817
Publication number (International publication number)：2009127021
Application date： Nov. 28, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：
【課題】高温使用時の変色がなく、光透過率が良好であり、かつ良好な弾性貯蔵率を有する、すなわちロール・トゥ・ロールで生産可能な可とう性を有する光半導体素子封止用樹脂、および良好な輝度保持率を有する、該樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供すること。【解決手段】ケイ素化合物と、ホウ素化合物又はアルミニウム化合物とを反応させて得られる光半導体素子封止用樹脂であって、ケイ素化合物が式(I)で表されることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂、(式中、R1及びR2は、それぞれ独立してアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基、Xはヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基を示し、n=4〜250)並びに該光半導体素子封止用樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
ケイ素化合物と、ホウ素化合物又はアルミニウム化合物とを反応させて得られる光半導体素子封止用樹脂であって、ケイ素化合物が式(I)で表されることを特徴とする光半導体素子封止用樹脂。
IPC (6)：
C08L 83/04 ,  C08K 5/057 ,  C08K 3/20 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00
FI (5)：
C08L83/04 ,  C08K5/057 ,  C08K3/20 ,  H01L23/30 F ,  H01L33/00 N
F-Term (15)：
4J002CP061 ,  4J002DE146 ,  4J002DK006 ,  4J002EC076 ,  4J002EY016 ,  4J002FD146 ,  4J002GP00 ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA22 ,  4M109EA01 ,  4M109EC11 ,  4M109GA01 ,  5F041DA43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (11)
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