プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000193416
Publication number (International publication number)：2002008895
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】平板状の被処理物の表面全面を短時間で均一にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】絶縁材料で形成される反応容器1と、反応容器1の外面に接して反応容器1内に交流又はパルス状の電圧を印加するための電極2、3とを具備する。反応容器1内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に反応容器1内に交流又はパルス状の電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で反応容器1内にグロー状の放電を生じさせて反応容器1内にプラズマを生成する。反応容器1に設けたスリット状の吹き出し口4から上記プラズマをジェット状に吹き出すように形成されたプラズマ処理装置に関する。吹き出し口4のスリット幅が1mmより大きくて5mm以下に形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁材料で形成される反応容器と、反応容器の外面に接して反応容器内に交流又はパルス状の電圧を印加するための電極とを具備して構成され、反応容器内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に反応容器内に交流又はパルス状の電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で反応容器内にグロー状の放電を生じさせて反応容器内にプラズマを生成し、反応容器に設けたスリット状の吹き出し口から上記プラズマをジェット状に吹き出すように形成されたプラズマ処理装置において、吹き出し口のスリット幅が1mmより大きくて5mm以下に形成して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H 1/24 , H01L 21/205 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H05H 1/34

FI (5)：

H05H 1/24 , H01L 21/205 , H05H 1/34 , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 B

F-Term (29)：

5F004AA01 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004CA03 , 5F004DA01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DA28 , 5F004DB26 , 5F045AC02 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045EB02 , 5F045EB05 , 5F045EB13 , 5F045EC05 , 5F045EE05 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH09 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EJ05 , 5F045EJ09 , 5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344735 Applicant：松下電工株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-268000 Applicant：セイコーエプソン株式会社
常圧放電プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-285520 Applicant：積水化学工業株式会社

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