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J-GLOBAL ID：200903073261555142

半導体IC内蔵モジュール

Inventor：
勝俣 正史

About 勝俣 正史

, 
川畑 賢一

About 川畑 賢一

, 
遠藤 敏一

About 遠藤 敏一


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (2)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005266345
Publication number (International publication number)：2007081079
Application date： Sep. 14, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：
【課題】 バスラインが発生するノイズの影響を低減し、半導体IC間を接続するバスラインを最短距離で配線することにより小型低背化及びノイズのさらなる低減を図る。 【解決手段】 半導体IC内蔵モジュール100は、第1及び第2の絶縁層101a,101bを有する多層基板101と、多層基板101内に埋め込まれたコントローラIC102及びメモリIC103とを備えており、多層基板101の内層には配線層104が設けられている。配線層104の一部はバスライン104Xを構成しており、コントローラIC102とメモリIC103との間はバスライン104Xで接続されている。コントローラIC102やメモリIC103は第2の絶縁層101bに埋め込まれている。第1及び第2の絶縁層101a,101bの表層にはそれぞれ第1及び第2のグランド層105a、105bが設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
複数の絶縁層が積層された多層基板と、互いに横並びに配置されるように前記多層基板内に埋め込まれた第1及び第2の半導体ICチップと、前記第1及び第2の半導体チップ間を接続するバスラインと、前記バスラインの上方及び下方を覆う第1及び第2の導電層とを備えていることを特徴とする半導体IC内蔵モジュール。
IPC (3)：
H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/538
FI (2)：
H01L25/04 Z ,  H01L23/52 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (8)
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