半導体装置およびその製造方法、電力増幅器、並びに、無線通信システム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002149000
Publication number (International publication number)：2003347315
Application date： May. 23, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】閾値電圧が0V以上である半導体装置を提供する。【解決手段】サファイア(0001)基板11上に、主面に対して垂直な軸をc軸としてGaNバッファ層14を結晶成長させる。こうして、GaN(1-101)ファセット面14aを形成し、ファセット面14a上に電子走行層15と障壁層16とを形成する。そして、ソース,ドレイン電極形成領域に高濃度n型領域20,20を形成し、障壁層16上にソース電極17,ドレイン電極19およびゲート電極18を形成する。この場合、電子走行層15と障壁層16との界面の面方位が(1-101)面となっている。したがって、上記界面に発生する分極電荷が小さくなり、上記界面に発生する2次元電子ガスの濃度も小さくなって、閾値電圧が0V以上となる。こうして、負電圧に因らずに動作可能なヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。

Claim (excerpt)：

少なくとも電子走行層および障壁層を有する半導体装置において、上記電子走行層と障壁層との界面の面方位が(1-101)面であり、動作の閾値電圧が0V以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/80 , H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 V

F-Term (16)：

5F102FA07 , 5F102GA01 , 5F102GB05 , 5F102GC07 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F102HC02 , 5F102HC07 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231057 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会
電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084933 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-288155 Applicant：三洋電機株式会社

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