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J-GLOBAL ID：200903073524233650
化学気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997063014
Publication number (International publication number)：1998251853
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 装置内の残渣等の異物の発生が低減される化学気相成長装置を提供する。【解決手段】 化学気相成長装置は、CVD原料容器、気化器5、反応器を備えている。気化器5には、実質的に円柱形状をなした気化室5fが形成されている。ノズル5cが気化室の円筒状側面に相当する周面6に取り付けられている。原料輸送配管接続孔が周面6に設けられている。CVD原料が気化室内に導入され、気化する。気化したCVD原料が反応器へ送られる。
Claim (excerpt)：
金属化合物を溶媒に溶解させたCVD原料を貯蔵する原料容器と、前記原料容器と接続され、前記原料容器から供給されたCVD原料を気化する気化器と、前記気化器と接続され、前記気化器から送られた気化したCVD原料を吹付けて基板上に薄膜を形成する反応器とを備えた化学気相成長装置であって、前記気化器は、実質的に円柱形状をなす空間を含む気化室を有し、前記原料容器から供給されるCVD原料が、前記円柱形状をなす空間を囲む円筒状側面から前記気化室へ導入され、気化したCVD原料が前記円筒状側面から前記反応器へ送られる、化学気相成長装置。
IPC (3)：
C23C 16/44
, C23C 16/40
, H01L 21/31
C23C 16/44 C
, C23C 16/40
, H01L 21/31 C
Cited by examiner (8)
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