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J-GLOBAL ID：200903073682032890

半導体受光素子

Inventor： 大内 洋一郎 ,  只友 一行 ,  岡川 広明 ,  濱村 寛 ,  新坂 俊輔 ,  野村 達士 ,  塩谷 英一 ,  元垣内 敦司 ,  平松 和政 ,  福井 一俊
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社 ,  株式会社ニコン
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002081688
Publication number (International publication number)：2003282926
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 表面電流を容易にかつ効果的に抑制し得る新たなる構造が付与された受光素子を提供すること。【解決手段】 波長450nm以下の光を受光対象光とする半導体受光素子である。当該受光素子は、半導体結晶層1、2からなる積層構造を有し、該積層構造には受光対象光を受光し得る受光層2が含まれている。該積層構造のうちの入射面および少なくとも表面電流の経路となり得る側面に、該受光対象光の反射を抑制しかつ透過させる誘電体膜Aを設けることによって、表面電流を容易にかつ効果的に抑制することが可能になる。

Claim (excerpt)：

波長450nm以下の光を受光対象光とする半導体受光素子であって、当該受光素子は、半導体結晶層からなる積層構造を有し、該積層構造には受光対象光を受光し得る受光層が含まれており、該積層構造のうちの入射面および少なくとも表面電流の経路となり得る側面に、該受光対象光の反射を抑制しかつ透過させる誘電体膜が設けられていることを特徴とする、半導体受光素子。

F-Term (10)：

5F049MA04 ,  5F049MA05 ,  5F049MB01 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NB07 ,  5F049SZ12 ,  5F049WA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 高感度紫外放射検出フオトダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055466   Applicant：クリーリサーチインコーポレイテツド
• 特開平1-138501
  
• 固体撮像装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-330477   Applicant：松下電器産業株式会社
• 紫外および真空紫外領域の反射防止基体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-334220   Applicant：旭硝子株式会社
• 火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-397111   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-184164   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-346479
  
• フォトダイオードおよび光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-201244   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体受光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-079809   Applicant：富士通株式会社
• 3族窒化物半導体、半導体基板、該半導体を用いたレーザおよび半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-333479   Applicant：株式会社リコー