有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007513224
Publication number (International publication number)：2007537600
Application date： May. 06, 2005
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長法(MOCVD)を用いる非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)膜ならびに非極性InGaNを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性InGaN/GaN紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

非極性窒化インジウムガリウム(InGaN)系ヘテロ構造物およびデバイスを製作する方法であって、 (a)滑らかで低い欠陥密度のIII族窒化物基板またはテンプレートを準備する工程、 (b)前記基板またはテンプレート上に一つ以上の非極性InGaN層を成長させる工程、 (c)後に続く層の成長中にInが脱離することを防ぐために前記非極性InGaN層上に薄い低温窒化物キャッピング層を成長させる工程、および (d)前記キャッピング層上に低圧で一つ以上の非極性n型およびp型(Al、Ga)N層を成長させる工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/343

FI (3)：

H01L33/00 C , H01L21/205 , H01S5/343 610

F-Term (29)：

5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA92 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AF09 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB02 , 5F173AF04 , 5F173AF20 , 5F173AH22 , 5F173AH49 , 5F173AP05 , 5F173AP19 , 5F173AP24 , 5F173AQ12 , 5F173AQ13 , 5F173AQ14 , 5F173AR81

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055221 Applicant：三洋電機株式会社
半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-107834 Applicant：三洋電機株式会社
窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-299640 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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