半導体発光素子アレー、およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鷲田公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007214119
Publication number (International publication number)：2009049209
Application date： Aug. 20, 2007
Publication date： Mar. 05, 2009
Summary：

【課題】本発明は、MOVPE選択成長法を用いて、同一基板上に複数の波長を有する半導体面発光素子を製造することを目的とする。【解決手段】半導体結晶基板;前記基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ前記2以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜;前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p-n接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記2以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレー。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

半導体結晶基板、前記半導体結晶基板の表面に配置された絶縁膜であって、前記絶縁膜は2以上の領域に区分されており、かつ前記2以上の領域のそれぞれには、前記基板の表面を露出させる2以上の開口部が形成されている絶縁膜、前記基板の表面から前記開口部を通って上方に延伸する半導体ロッドであって、前記延伸方向にn型半導体層とp型半導体層が積層されており、p-n接合を有する半導体ロッド、ならびに前記半導体結晶基板に接続された第一電極、および前記半導体ロッドの上部に接続された第二電極を含む半導体発光素子アレーであって、前記半導体ロッドの前記基板表面からの高さは、前記2以上の領域毎に異なる、半導体発光素子アレー。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (4)：

H01L33/00 A , H01L33/00 D , H01L33/00 C , H01L33/00 B

F-Term (13)：

5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA39 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA88 , 5F041CB23 , 5F041CB27 , 5F041CB36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平4-212489号公報
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-064968 Applicant：澤木宣彦, シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327762 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体発光素子及び半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-200148 Applicant：ソニー株式会社
半導体光素子アレイの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-048467 Applicant：富士通株式会社
窒化物半導体発光デバイスチップとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-357642 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (2)

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