電界効果型トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325371
Publication number (International publication number)：2006173580
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうち少なくとも1つが、可視域の光に対して透過性を有する。電界効果トランジスタの活性層が非晶質酸化物を備え、且つゲート絶縁膜が、非晶質酸化物に接する第1層と、第1層に積層されている、該第1層とは異なる第2層を含み構成されている。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

電界効果型トランジスタであって、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、該活性層は、電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物か、あるいは電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも1つが、可視域の光に対して透過性を有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (4)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L29/78 617T

F-Term (34)：

5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081483 Applicant：富士ゼロックス株式会社
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-086175 Applicant：ミノルタ株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室温製膜とキャリア輸送特性

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