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J-GLOBAL ID：200903074915172570

半導体製造装置

Inventor：
大橋 弓弦

About 大橋 弓弦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997220625
Publication number (International publication number)：1999054440
Application date： Jul. 31, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】多数の微細穴を有するシャワープレートから反応ガスをウエハ表面に流出することによりウエハ表面に形成される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能にする半導体製造装置の提供。【解決手段】シャワープレート3上部に不活性ガスを流入する不活性ガス吹出ノズル17を設け、不活性ガスの流量をコントロールすることにより、高周波導通板5とシャワープレート3により狭窄された空間に拡散した反応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおいて希釈し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応ガスをシャワープレート3の微細穴からウエハ10表面に流出し、ウエハ10表面で反応する反応ガスに濃度差を付けることにより、ウエハ10表面に形成される膜の成膜速度をウエハ10表面の特定エリアにおいて制御する。
Claim (excerpt)：
反応ガスをウェハ表面に供給する微細穴の流出口の直前に、少なくとも1つ以上の不活性ガスの吹き出し口を具備したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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