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J-GLOBAL ID：200903075971371353

磁気記憶装置及びその製造方法

Inventor： 中島 健太郎 ,  天野 実
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003072216
Publication number (International publication number)：2004006713
Application date： Mar. 17, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】パターン被覆率の異なる領域で同時にエッチバックを行った際に生じるエッチング量の差を抑制する。【解決手段】磁気記憶装置は、メモリセル部と、このメモリセル部近傍に位置する周辺回路部と、メモリセル部に配置され、記憶素子として機能する複数の第1の磁気抵抗効果素子14aと、周辺回路部の少なくとも一部に配置され、ダミーである複数の第2の磁気抵抗効果素子14bとを具備し、第2の磁気抵抗効果素子14bの占有する面積の合計は、周辺回路部の5%乃至80%である。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

メモリセル部と、 前記メモリセル部近傍に位置する周辺回路部と、 前記メモリセル部に配置され、記憶素子として機能する複数の第1の磁気抵抗効果素子と、 前記周辺回路部の少なくとも一部に配置され、ダミーである複数の第2の磁気抵抗効果素子と を具備し、 前記第2の磁気抵抗効果素子の占有する面積の合計は、前記周辺回路部の5%乃至80%であることを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (2)：

H01L27/105 ,  H01L43/08

FI (2)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 薄膜磁性体記憶装置およびそれを備える半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-311463   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-241132   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体メモリ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-043806   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-033388   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法、半導体集積回路およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-042291   Applicant：富士通株式会社
• 磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリへのアクセス方法および磁気ランダムアクセスメモリの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-181414   Applicant：三菱電機株式会社