発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258265
Publication number (International publication number)：2007073311
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】有機EL発光層などの自発光素子を用いてディスプレイを作製する際に両面で発光するディスプレイを作製することができるようにする。【解決手段】薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor TFT)705で発光層713における発光を駆動し、発光層713を下部電極709と上部電極715とで挟む発光素子において、TFT705の活性層がInとGaとZnを含み、かつ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であり、かつ少なくとも一部が非晶質の酸化物であり、かつTFT705のドレイン電極に発光層713の一部が電気的に接続され、少なくともTFT705の電極と、下部電極709と、下部電極709とドレイン電極とを接続する電極とが透明である。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor TFT)で発光層における発光を駆動し、該発光層を第1の電極と第2の電極とで挟む発光素子において、前記TFTの活性層がInとGaとZnを含み、かつ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であり、かつ少なくとも一部が非晶質の酸化物であり、かつ前記TFTのドレイン電極に前記発光層の一部が電気的に接続され、少なくとも前記TFTのソース、ドレイン及びゲート電極と、前記第1の電極と、前記第1の電極と前記ドレイン電極とを接続する電極とが透明であることを特徴とする発光素子。

IPC (8)：

H05B 33/28 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (11)：

H05B33/28 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 618F , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L29/78 616T , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/58 G

F-Term (65)：

3K007AB06 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CA06 , 3K007CB01 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB06 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HM03 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208948 Applicant：ホーヤ株式会社
導電性透明基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-132030 Applicant：出光興産株式会社
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団

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Cited by examiner (5)

トランジスタ及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326889 Applicant：科学技術振興事業団
発光装置及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325367 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-264885 Applicant：科学技術振興事業団

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