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J-GLOBAL ID：200903076577082229

シリコン半導体基板及びその製造方法

Inventor： 碇 敦 ,  大橋 渡 ,  中居 克彦
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084909
Publication number (International publication number)：2000281491
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】【課題】 空孔欠陥の生成を抑制し、析出する空孔欠陥のサイズを低減させてシリコン単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際、雰囲気中に水素ガスを体積比で3%〜0.1ppm連続的に導入しながら結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際、雰囲気中に水素ガスを体積比で3%〜0.1ppm連続的に導入しながら結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208

FI (4)：

C30B 29/06 502 K ,  C30B 29/06 A ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 P

F-Term (25)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077DB01 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP03 ,  5F053PP05 ,  5F053PP08 ,  5F053PP12 ,  5F053RR13 ,  5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 特開昭61-178495
  
• シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-050951   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶引上げ方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-062248   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコン単結晶棒およびその引上げ方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-092064   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 単結晶の温度分布簡易測定方法及び簡易測定方法を利用したシリコン単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-032011   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 特開昭60-251190
  
• 半導体基板の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061903   Applicant：住友シチックス株式会社
• 結晶製造方法及び結晶製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-044387   Applicant：有限会社デジタル・ウェーブ
• シリコン単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-361217   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開平2-267195