高平坦度ウェーハの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安倍逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999039879
Publication number (International publication number)：2000243731
Application date： Feb. 18, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】ウェーハ外周部のダレが小さくて表面平坦度が高いとともに、研磨時間も短縮できる半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラップし、次に半導体ウェーハをアルカリ性溶液でアルカリエッチングすると、このウェーハ表面に発生していた欠陥が除去される。アルカリエッチングは酸エッチングよりエッチング速度が遅く、かつ比較的ウェーハ溶失の反応がゆるやかで、発生する気泡の量が抑制される。結果、半導体ウェーハの表面は荒れにくい。次に、このアルカリエッチングされたウェーハ表面を研削する。そして、ウェーハ表面を研磨して、ウェーハ外周部のダレが小さい高品質の半導体ウェーハを製造する。しかも、研磨前にウェーハ表面が研削されるので、研磨時間が短縮される。

Claim (excerpt)：

面取り加工が施された半導体ウェーハをラッピングする工程と、このラップドウェーハを、アルカリ性溶液によりアルカリエッチングする工程と、このアルカリエッチング後、半導体ウェーハの表面を研削する工程と、この研削後の半導体ウェーハの表面を研磨する工程とを備えた高平坦度ウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (2)：

H01L 21/304 621 Z , H01L 21/304 622 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

被鏡面研磨用半導体基板及び半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-255669 Applicant：信越半導体株式会社
半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-109906 Applicant：コマツ電子金属株式会社
半導体ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-279819 Applicant：コマツ電子金属株式会社

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